理工学講座 半導体工学 第2版

基礎からデバイスまで

理工学講座 半導体工学 第2版
著者 東京電機大学
青野 朋義
木下 彬
小林 保正
高井 裕司
中野 朝安
原 和裕
樋口 政明
深海 登世司
藤中 正治
ジャンル 電子・通信
シリーズ 理工学講座
出版年月日 2004/07/01
ISBN 9784501323608
判型・ページ数 A5・386ページ
定価 本体3,900円+税
在庫 在庫あり

この本に関するお問い合わせ・感想

旧版に続く半導体工学の絶好の教科書改訂版

 現今の華やかな科学技術革新の一翼を担っている半導体工学は,その取り扱う分野においても極めて広い範囲に及んでいる.そのため,これを学ぶ者に対しては,深い基礎学力と多岐にわたる専門的な知識をもつことが要求される.このことは,初学者にとり極めて困難なことである.
 大学の半導体工学,およびこれに関連する授業担当者は,日頃の授業を通してこれを痛切に感じ,初学者のための適当な教科書または参考書の出版されることを切望していた.
 幸いにも,この度,本学出版局において,上記の目的に合う教科書出版の企画がなされることになり,早速,上述の授業担当者等は,執筆委員会を作り,その取り上げるべき内容の主項目と解説の基礎水準に関し慎重な審議を行った.
 本書は,学部学生が,週1回90分の講義時間で30週の期間にこれを学習できるように計画された.この限られた制約を満たすためには,あまり枝葉末節にとらわれ,その根幹を見失うことのないよう執筆内容が整理され,その解説に対する記述はなるべく平易に,また参照図は,見やすさを考慮して比較的大きく,2色刷にした.
 委員会では,さらに執筆分担者を前記のように定めると共に,監修者を決めて執筆分担者相互間における,講述内容の良好な脈絡と,解説水準の統一を計った.
 読者は,このようにして著作された本書により,半導体工学の概要を理解し,さらに高度の専門書へ進む足掛りが得られるならば,著者等にとって無上の喜びとするところである.
 なお,本書の出版に当たり,東京電機大学出版局,および特に編集担当の岩下行徳氏のご尽力に対し,深い感謝の意を表し筆を置く.

深海 登世司


第2版にあたって
 本書を刊行してから17年に歳月が流れた.この間,半導体関連技術の発展には目覚しいものがあり,理工系大学のカリキュラムで対応すべき範囲も拡大してきた.本書においては重版の度に見直しと若干の手直しを行ってきたが,今回,近年の技術の発展に対応した内容とするために大幅な修正と加筆を行い,第2版とすることとした.
 第2版にあたっては,初版を監修された深海登世司先生の方針に従いながら,主に下記の点について修正加筆を行った.

(1)素子や応用技術に関して発展の著しい太陽電池について,第6章に大きく加筆した.
(2)新たにパワーデバイスを取り上げ,第7章とした.
(3)初版では「その他の半導体デバイス」としてまとめていた章を,「センサ関連デバイス」と「その他のデバイス」に分け,撮像デバイスなど新しい素子に関する加筆を行い,第8章,第9章とした.
(4)全体として,データを最新のものに修正するとともに,必要なデータを加筆した.

半導体工学の基礎的な内容とデバイスに関する解説を網羅することを意図したことで大部の書籍となったが,広く学習者に活用いただければ幸いである.

2004年6月
著者一同
第1章 緒論
 1・1半導体とは
 1・2半導体デバイスの歴史
第2章 半導体の基礎的性質
 2・1結晶構造
 2・2エネルギー帯構造
 2・3真性半導体と外因性半導体
 2・4キャリアの密度
 2・5キャリアの運動と電気伝導
 2・6キャリアの生成と再結合
 2・7連続の方程式
 演習問題〔2〕
第3章 ダイオードとバイポーラトランジスタ
 3・1pn接合
 3・2金属?半導体(MS)接合
 3・3異種の半導体による接合
 3・4バイポーラトランジスタ
 3・5シリコン制御整流器(SCR)
 演習問題〔3〕
第4章 電界効果トランジスタ
 4・1電界効果トランジスタの基礎概念
 4・2接合形電界効果トランジスタ(JFET)
 4・3MOS形電界効果トランジスタ(MOSFET)の基礎
 4・4MOSFETの特性
 演習問題〔4〕
第5章 集積回路
 5・1集積回路の基礎概念
 5・2バイポーラ集積回路
 5・3MOS集積回路
 5・4メモリ集積回路
 演習問題〔5〕
第6章 光電素子(オプトエレクトロニックデバイス)
 6・1半導体の光吸収と発光
 6・2受光デバイス
 6・3太陽デバイス
 6・4太陽電池
 演習問題〔6〕
第7章 パワーデバイス
 7・1パワーデバイスの種類と用途
 7・2短絡エミック構造
 7・3GTO(Gate Turn Off)サイリスタ
 7・4パワーバイポーラトランジスタ
 7・5パワーMOSFET
 7・6絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
 演習問題〔7〕
第8章 センサと関連デバイス
 8・1温度センサと熱電変換デバイス
 8・2磁気効果デバイス
 8・3歪効果デバイス
 8・4ガスセンサ,イオンセンサ
 演習問題〔8〕
第9章 各種半導体デバイス
 9・1マイクロ波デバイス
 9・2撮像・表示デバイス
 9・3その他のデバイス
 演習問題〔9〕
第10章 半導体材料と素子製造技術
 10・1半導体材料の高純度化
 10・2半導体材料の単結晶化
 10・3不純物および構造欠陥の制御技術
 10・4微細加工技術
 10・5集積化技術
 10・6半導体材料の評価法
 演習問題〔10〕

演習問題の解答

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